澎芯半導體POWERSiC Semiconductor
關于公司
—— 紹興澎芯半導體有限公司成立于2020年，公司專注于SiC功率半導體器件的開發、銷售和技術服務，已與國內外多家專業從事SiC功率器件產業鏈上下游業務的企業完成深度合作，并且建立了行業領先的SiC器件仿真設計、性能參數測試、可靠性測試和晶圓測試分析平臺。
公司核心成員均來自國內頂尖半導體公司，在傳統Si功率半導體器件研發和生產工藝領域有著十五年以上的從業經驗，在SiC功率半導體研發也已深耕九年之久，是國內較早從事SiC功率器件研發和生產的團隊，具有豐富的SiC功率器件研發設計、晶圓工藝和系統應用方面成熟的經驗。
公司堅持以人為本，以科技創新為先導，先后研制開發了兩大系列，共計20多個型號的產品，將竭誠向各位客戶提供全方位的SiC功率器件系列化產品及系統應用解決方案服務。
新聞動態—— 定期更新公司新聞和行業動態
新聞動態
2024-11-01
澎芯半導體1200V Gen-2新產品發布 澎芯半導體SiC MOSFET產品門極驅動電壓推薦Vgs_on為+15V/+18V兼容，2024年Q3月份推出Gen-2代新產品，已經過6個月全面的可靠性考核，其封裝形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL、TOLT。經過工藝和設計優化，Gen-2代比Gen-1代面積減小約25%，將進一步提升產品性價比。新產品比導...
2024-05-16
預祝第26屆集成電路制造年會順利召開 5月22日，第26屆集成電路制造年會暨供應鏈創新發展大會在廣州開幕。大會以“助力產業路徑創新 共建自主產業生態”為主題，共同探討集成電路產業的發展趨勢和創新路徑。 澎芯半導體參加會議，并預祝會議順利召開！
2024-03-16
澎芯半導體參加2024年第三屆第三代半導體材料技術與市場研討會 半導體在線將于2024年3月28日-29日在蘇州組織召開2024年第三屆第三代半導體材料技術與市場研討會，重點探討SiC/GaN襯底、外延、器件設計技術，以及在新能源、軌道交通、電網等領域的應用！ 屆時澎芯半導體將與會分享題為《碳化硅器件考核中的一些問題》的報告，歡迎大家參會指導與研討！
2024-02-02
定制合作-推出多個型號的碳化硅模塊產品模塊產品-合作開發澎芯半導體在SiC SBD和SiC MOSFET系列化量產的基礎上，現已聯合模塊客戶(模塊封裝廠)和終端使用客戶共同定義開發出多個型號的模塊產品，后續可提供晶圓和客制化模塊兩大類產品，目前已量產出貨的模塊包括以下型號：系列化-發展加速提檔 澎芯半導體650V和1200V電壓平臺的SiC MOSFET產品系列化布局完整，產品涵蓋各個行...
2024-01-19
澎芯半導體推出650V系列化MOSFET產品 澎芯半導體SiC MOSFET產品推出650V系列化產品，包括650V/30mΩ、650V/45mΩ、650V/60mΩ、650V/260mΩ、650V/500mΩ。當前產品平臺，門極驅動電壓推薦Vgs_on為+15V/+18V兼容，封裝形式包括四種：TO-263-7、TO-247-4、TO-247-3等。 此產品晶圓流...
2023-12-22
澎芯半導體推出1200V/320mΩ MOSFET產品 澎芯半導體SiC MOSFET產品門極驅動電壓推薦Vgs_on為+15V/+18V兼容，封裝形式包括四種：TO-252、TO-263-7、TOLL、DFN8*8。 此產品晶圓流片和封裝測試均由車規級制造平臺完成，目前此平臺產品已經通過工控級可靠性認證及AEC-Q101車規級認證，晶圓產出良率＞96%
2023-12-19
車規級新品-1200V/15mΩ，產品系列化提檔加速車規新品-性能優異 12月12日上午，澎芯半導體1200V電壓平臺迎來新的成員-1200V/15mΩ的SiC MOSFET產品。此產品由澎芯半導體自主設計研發，擁有自主知識產權，并且聯手國內標桿SiC晶圓廠制造完成，產品各項參數性能指標表現非常優異，試產良率達到75%。 模塊產品-合作開發據悉，澎芯半導體在前期工程批已完成各項性能指標...
2023-10-20
澎芯半導體SiC MOSFET產品門極驅動電壓推薦Vgs_on為+15V/+18V兼容，封裝形式包括四種：TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL。 此產品晶圓流片和封裝測試均由車規級制造平臺完成，目前已經通過工控級可靠性認證及AEC-Q101車規級認證。 ...
2023-09-06
并且科技創新周期和國產化周期為半導體帶來新的增長極，“中國芯”崛起已勢不可擋！(本文僅為部分"2023硬核中國芯"參評企業，排序不分先后，后續更新請持續關注)紹興澎芯半導體有限公司澎芯半導體是一家專注于碳化硅（SiC）功率半導體器件研發的設計公司，已與國內外多家專業從事SiC功率器件業務的企業合作完成晶圓制造、芯片封裝等。
2023-09-01
誠邀蒞臨第24屆光博會(深圳國際會展中心)-澎芯半導體展位4A108展會時間：2023年9月6-8日
2023-07-16
本屆慕尼黑電子展以“融合創新智引未來”為主題，聚焦新能源汽車、綠色能源、智能網聯生態等，參展企業超過1600家，呈現出眾多新產品、新技術、新生態，澎芯半導體聚焦碳化硅功率半導體器件，本屆展會帶來了工業級和車規級的核心功率轉換器件，全面展示了澎芯半導體領先的產品技術和典型應用案例，展會期間受到了眾多參展觀眾的青睞，紛紛駐足觀瞻和交流洽談，現場熱度爆棚，人流涌動。
2023-07-06
澎芯半導體加大投入！持續提升SiC MOS產品的可靠性測試能力來源:芯師爺 澎芯半導體致力于碳化硅(SiC)器件的參數特性和可靠性研究，不斷加大公司研發端的器件測試中心和可靠性試驗中心的設備投入，以及研發隊伍的建設，既為公司產品在各個領域的系統方案中的可靠性保駕護航，又為公司產品在同行業中的參數性能領先性精準助力，同時能提供對顧客響應及時的技術支持服務與提升顧客滿意度。SiC MOS器件分選...
2023-05-31
澎芯半導體推出性能領先的SiC MOS產品，將通過車規級認證，經過6個月以上的產品開發流程和可靠性考核，新推出性能參數優異，可靠性高的1200V 40mΩ的 SiC MOSFET產品。據介紹，這款SiC MOSFET產品的晶圓流片和封裝測試
2023-05-26
澎芯半導體SiC MOSFET 1200V車規級平臺推出新產品 澎芯半導體SiC MOSFET產品門極驅動電壓推薦Vgs_on為+15V/+18V兼容，封裝形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL，經過6個月全面的設計開發和可靠性考核，新推出1200V 40mΩ的 SiC MOSFET產品，使得1200V電壓平臺的產品更加完善，此平臺目前已量產的型號包...
2023-05-10
澎芯半導體SiC SBD產品系列化布局優勢 SiC二極管已經大量運用于商業化電源，澎芯半導體在器件設計、工藝技術、晶圓制造、封裝測試、可靠性驗證等方面有一套完整的解決方案，目前已經規模化應用在包括光伏逆變器、充電樁、通訊電源、儲能系統等工控領域。深度優化的器件設計結構，改善肖特基結的大漏電及低應用電壓問題，降低了器件的關態耗散功率；采用特殊減薄工藝及歐姆接觸工藝，降低器件導通電阻，有效提...
2023-03-03
深圳分公司成立-更加貼近客戶過去的一年在公司所有員工的共同努力下，在合作伙伴的支持與幫助下，澎芯半導體不斷地取得突破，2023年03月澎芯半導體-深圳分公司正式設立。澎芯半導體始終追求“精益創新，顧客至上”，堅持以客戶需求為創新導向，以質量求生存的經營宗旨，已逐步形成自主的核心技術創新體系。 深圳分公司的團隊將以更積極地工作態度與更貼近客戶的服務意識，攜手客戶共同創造美好的未來!
2023-03-01
在新能源快速發展的背景下，澎芯半導體將積極地研究新產品與新技術，并且進一步協同供應商加大擴產力度，持續地提升公司的產品技術的領先性與供貨能力。
根據澎芯半導體的SiC MOSFET產品技術路徑和發展規劃，計劃2023年Q2推出車規高功率芯片試生產(包括1200V 16mΩ/40mΩ)，推動國產SiC產品“上車”
根據澎芯半導體的SiC MOSFET產品技術路徑和發展規劃，計劃2023年Q2推出車規高功率芯片試生產(包括1200V 16mΩ/40mΩ)，推動國產SiC產品“上車”
2022-11-25
始終選擇：保持與市場同呼吸和心連心澎芯半導體系列化的 SiC MOSFET和SiC SBD產品，分別搭載在客戶終端不同場景(包括通信電源模塊、充電樁、OBC、DC\DC等)，非常出色的呈現SiC產品在高頻率和高效率方面的性能優勢，得到客戶的高度認可。目前批量化產品在終端的主要應用情況：1、 充電樁設備參數：功率30kW，輸出電壓：200～1000Vdc，輸出電流：100Amax，效率...
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